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三安光電榮獲國家科學技術進步一等獎
通信產業網|2020-01-10 12:18:54
作者:黨博文來源:通信產業網

【通信產業網訊】(記者 黨博文)1月10日上午,中共中央、國務院在北京隆重舉行國家科學技術獎勵大會。三安光電股份有限公司以“高光效長壽命半導體照明關鍵技術與產業化”項目,與中科院等聯袂榮獲國家科學技術進步獎一等獎。

此次三安光電與中國科學院半導體研究所,通過共同承擔國家科研任務、簽署技術合作協議等方式開展密切合作,項目面向半導體照明產品光電轉化效率、長期工作可靠性等核心技術難題,從半導體照明材料、芯片、封裝、模組與應用全鏈條開展產研聯合技術攻關,形成了具有自主知識產權的高光效長壽命半導體照明全套技術,實現了國內產業龍頭企業芯片技術產業化與核心器件國產化。半導體照明已成為我國具有國際競爭力的高科技領域之一,該項目成果對踐行創新驅動發展戰略、推動產業轉型升級意義重大。

中科院半導體研究所有關人士表示,此前半導體照明產品面臨電光轉化效率低、長期工作可靠性差、標準缺失等核心難題,關鍵技術被國外壟斷。此次本項目在國家科技計劃的持續支持下,歷時十余年聯合技術創新,推動了我國半導體照明戰略性新興產業全鏈條技術自主可控的國產化進程。項目成果在人民大會堂、2014 中國 APEC 峰會、北京奧運會、“十城萬盞”節能改造、索契冬奧會、俄羅斯世界杯等多場景開展示范應用,通過半導體照明產品大規模推廣,為國民經濟的可持續發展做貢獻。

三安光電副總經理蔡文必表示,以氮化物基發光二極管(LED)為核心器件的新一代半導體照明光源具有高效節能、綠色環保的特點,是全球最有發展前景的高技術產業之一。隨著各國淘汰白熾燈計劃進一步實施,LED 通用照明市場將呈現爆發式增長。此次項目成果包括p 型氮化物摻雜與量子阱結構設計、微納圖形化襯底及成核技術、新型緩沖層的高質量氮化物外延技術、激光誘導光提取技術等多項外延芯片技術率先在三安光電進行推廣與量產,促進三安光電作為全球知名外延芯片廠的技術發展,實現了我國半導體照明芯片由完全依賴進口發展到自主可控全面國產化,LED 芯片及應用產品出口至歐美多個國家,實現了自主研制的半導體照明芯片取代進口,促進半導體照明終端產品大規模的推廣應用。

蔡文必表示,為鞏固三安光電在傳統半導體照明領先地位,適應半導體照明應用領域多樣化發展,三安光電也在繼續聯合中科院等科研機構,向高端、新興半導體照明領域加快拓展。目前,三安光電投資在“泉州芯谷”南安園區建設的半導體項目和湖北省鄂州市葛店經濟技術開發區Mini/Micro LED顯示芯片產業化項目建設進展順利;三安項目分別投資高端氮化鎵LED外延芯片、高端砷化鎵LED外延芯片、Mini/Micro LED芯片、車用LED照明等領域。公司“再造一個三安”已踏出新的征程。

據悉,三安光電是國際知名、國內龍頭的全色系超高亮度發光二極管外延及芯片產業化生產基地,也是我國微波射頻、電力電子、6吋化合物集成電路芯片的研發及產業化基地,公司擁有近2000項專利及專有技術,并擁有國家級博士后科研工作站及國家級企業技術中心,承擔了多項國家重點攻關項目,是國家發改委批準的“國家高技術產業化示范工程”企業、國家科技部認定的“半導體照明工程龍頭企業”、國家工業和信息化部認定的“國家技術創新示范企業”、國家知識產權局認定的“國家知識產權示范企業”。

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責任編輯:黨博文

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